日本HORIBA堀場(chǎng):計(jì)量學(xué)，HORIBA 的顆粒檢測(cè)和去除系統(tǒng)對(duì)于提高半導(dǎo)體光刻工藝的產(chǎn)能至關(guān)重要。

日本HORIBA堀場(chǎng):顆粒檢測(cè)系統(tǒng)

半導(dǎo)體制程綜合顆粒檢測(cè)

For Semiconductor manufacturing processes, where the most advanced micro-fabrication techniques are used, quality management is a critical issue that directly impacts business.

It is important to constantly inspect for the presence of particle contamination. By making use of advanced analysis technologies, HORIBA provides cost effective leading-edge particle detection solution to semiconductor manufactures.

日本HORIBA堀場(chǎng) 薄膜分析

薄膜分析

Thin Film Analysis

日本HORIBA堀場(chǎng) LEM Series

我們的實(shí)時(shí)干涉工藝監(jiān)測(cè)儀可在蝕刻/沉積制程中對(duì)薄膜厚度和溝槽深度進(jìn)行高精度檢測(cè)。根據(jù)應(yīng)用的不同，LEM 攝像頭包含 670、905 或 980 nm 激光器，當(dāng)安裝在任何干法蝕刻/沉積制程處理室上，直接俯視晶圓時(shí)，會(huì)在樣品表面產(chǎn)生小激光點(diǎn)。

單色光照射到樣品表面時(shí)會(huì)發(fā)生干涉，由于薄膜的厚度和高度變化，會(huì)導(dǎo)致不同的光程長(zhǎng)度。
可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)蝕刻/沉積速率和厚度，也允許條紋計(jì)數(shù)或更復(fù)雜的分析，為各種工藝提供增強(qiáng)的制程控制終點(diǎn)檢測(cè)。此外，接口可通過(guò)其反射率的變化來(lái)檢測(cè)。

一般特征

由于采用干涉測(cè)量技術(shù)，LEM 攝像頭非常適合蝕刻/沉積速率監(jiān)測(cè)、條紋計(jì)數(shù)和終點(diǎn)檢測(cè)，提供薄膜厚度和溝槽深度以及接口的高精度檢測(cè)。
LEM 攝像頭可以安裝在任何處理室上，直接俯視晶圓，并提供樣品表面的實(shí)時(shí)數(shù)字 CCD 圖像，使光斑定位更簡(jiǎn)單。

GD-Profiler 2?輝光放電光譜儀

用輝光放電光譜儀去發(fā)現(xiàn)一個(gè)嶄新的信息世界

GD-Profiler 2? 可以快速、同時(shí)分析所有感興趣的元素，包括氣體元素N、O、H和Cl，是薄膜和厚膜表征和工藝研究的理想工具。

GD-Profiler 2? 配備的射頻源可在脈沖模式下對(duì)易碎樣品進(jìn)行測(cè)試，廣泛應(yīng)用于高校以及工業(yè)研究實(shí)驗(yàn)室，其應(yīng)用范圍有腐蝕研究、PVD 涂層工藝控制、PV 薄膜開(kāi)發(fā)以及LED 質(zhì)量控制等。

• 射頻發(fā)生器是 E 類標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)穩(wěn)定性和濺射坑形狀都進(jìn)行了優(yōu)化以滿足實(shí)時(shí)表面分析。

• 射頻源可以分析傳統(tǒng)和非傳統(tǒng)鍍層和材料，對(duì)于易碎樣品，還可以使用脈沖式同步采集優(yōu)化測(cè)試。

• 從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。

• HORIBA 研發(fā)的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率，光學(xué)效率和靈敏度都表現(xiàn)優(yōu)良。

• HDD 探測(cè)器兼具檢測(cè)速度和靈敏度。

• 內(nèi)置的微分干涉儀DIP可實(shí)時(shí)測(cè)量濺射坑深度和剝蝕速率。

• 寬敞簡(jiǎn)潔的大樣品倉(cāng)易于裝卸樣品，操作簡(jiǎn)單。

• QUANTUM? 軟件配置了Tabler 報(bào)告編寫工具。

• **激光中心定位裝置（**號(hào)：Fr0107986/國(guó)際**種類：G01N 21/67）可定位樣品測(cè)試位置。

 HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀，實(shí)現(xiàn)n+1元素通道的同時(shí)也提高了設(shè)備的靈活性。

• 輝光源結(jié)合超快速、高分辨的同步光學(xué)器件，可對(duì)導(dǎo)體、非導(dǎo)體和復(fù)合材料進(jìn)行快速元素深度剖析。

• 適用于薄膜和厚膜——從納米到數(shù)百微米，且具有納米級(jí)深度分辨率。

• 典型應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機(jī)和微電子、材料研發(fā)、沉積工藝優(yōu)化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。

• 不需要超高真空。

• 使用高動(dòng)態(tài)探測(cè)器可以測(cè)量所有感興趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。

• 可選附件單色儀配備的也是高動(dòng)態(tài)探測(cè)器，可在image模式下做全譜掃描，極大的增加了設(shè)備的靈活性。

• 脈沖式射頻源，可選擇在常規(guī)射頻模式和脈沖式射頻模式下工作，且可全自動(dòng)匹配。

• 輝光源采用差速雙泵真空系統(tǒng)，可為SEM制備樣品。

• 內(nèi)置等離子清洗功能。

• 超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機(jī)材料。

• 內(nèi)置的微分干涉儀DIP，可直接在線測(cè)定深度。

• 用于異形樣品測(cè)試的各種銅陽(yáng)極和附件。

• Windows 10 軟件 – 為遠(yuǎn)程安裝提供多個(gè)副本

應(yīng)用：

脈沖式射頻GD-OES分析含有金屬和金屬氧化物納米顆粒的薄膜

HORIBA Scientific 是法國(guó)研究項(xiàng)目的合作伙伴，在同一個(gè)腔室中將納米粒子噴霧耦合到 PVD 生長(zhǎng)層上。許多關(guān)于這類新材料的研究都使用脈沖式射頻 GD-OES 來(lái)分析顆粒的深度分布和復(fù)合層的厚度。

脈沖式射頻 GD-OES表征鋰電池電極的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。

鋰電池是一種可充電電池，通過(guò)鋰離子在陽(yáng)極和陰極之間遷移，產(chǎn)生電流。無(wú)論您是研究新電極、涂層行為、充電和放電過(guò)程、過(guò)程控制，還是對(duì)鋰電池進(jìn)行性能比較研究，脈沖式射頻GD-OES都是有價(jià)值的測(cè)試工具。

日本HORIBA堀場(chǎng)  RP-1

光罩/掩膜顆粒去除設(shè)備

RP-1 通過(guò)空氣（或 N2）和真空抽吸自動(dòng)去除光罩/掩膜上的顆粒。在光刻工藝前定期去除顆粒可延長(zhǎng)薄膜的更換周期和掩膜的清洗周期，從而降低運(yùn)行成本。

制造商: HORIBA, Ltd.

• 減少操作人員的日常工作，防止人為損壞薄膜
• 消除人工操作，防止靜電放電損壞
• 在光罩存儲(chǔ)設(shè)備中存儲(chǔ)掩膜的前后去除顆粒，可以延長(zhǎng)掩膜壽命
• 結(jié)合 PR-PD 系列光罩/掩膜顆粒檢測(cè)系統(tǒng)，可確認(rèn)去除顆粒后光罩/掩膜的狀態(tài)。